规格：FET 类型 N 沟道,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名：BSZ240N12NS3 GCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2925U,115
仓库库存编号：
1727-3121-1-ND
别名：1727-3121-1
568-2344-1
568-2344-1-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPD530N15N3GATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名：IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名：IRLR3915TRPBFCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709PBF
仓库库存编号：
IRF3709PBF-ND
别名：*IRF3709PBF
SP001570060
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4420DYPBFCT-ND
别名：*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6ATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6619
仓库库存编号：
IRF6619CT-ND
别名：IRF6619CT
规格：FET 类型 N 沟道,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7206-1-ND
别名：1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB081N06L3 G
仓库库存编号：
IPB081N06L3 GCT-ND
别名：IPB081N06L3 GCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N06N3 G
仓库库存编号：
IPB054N06N3 GCT-ND
别名：IPB054N06N3 GCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ44NSTRLPBFCT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 203W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7607-55B,118
仓库库存编号：
1727-4701-1-ND
别名：1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRF60R217
仓库库存编号：
IRF60R217CT-ND
别名：IRF60R217CT
规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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