规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH140N03TB1
仓库库存编号：
RSH140N03TB1CT-ND
别名：RSH140N03TB1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ300N10TL
仓库库存编号：
RSJ300N10TL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS090P03FU6TB
仓库库存编号：
RSS090P03FU6TB-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
型号：
RP1E050RPTR
仓库库存编号：
RP1E050RPCT-ND
别名：RP1E050RPCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK3816-DL-1E
仓库库存编号：
2SK3816-DL-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述：通孔 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-262-3
型号：
2SJ661-1E
仓库库存编号：
2SJ661-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRLPBF
仓库库存编号：
IRL620STRLPBF-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-263-2
型号：
2SJ661-DL-1E
仓库库存编号：
2SJ661-DL-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SJ649-AZ
仓库库存编号：
2SJ649-AZ-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-262-3
型号：
2SK4066-1E
仓库库存编号：
2SK4066-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4066-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4066-DL-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4065-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4065-DL-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.75W（Ta），90W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4094-1E
仓库库存编号：
2SK4094-1E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR024NTRL-ND
别名：SP001517694
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRLL024NTR
仓库库存编号：
AUIRLL024NTR-ND
别名：SP001518736
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR120NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR120NTRL-ND
别名：SP001516016
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL520NSTRLPBF-ND
别名：SP001567056
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905TRL
仓库库存编号：
AUIRLR2905TRL-ND
别名：SP001520426
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NS
仓库库存编号：
AUIRLZ24NS-ND
别名：SP001518210
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRLU2905
仓库库存编号：
AUIRLU2905-ND
别名：SP001520838
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620S
仓库库存编号：
IRL620S-ND
别名：*IRL620S
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRL
仓库库存编号：
IRL2203STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRR
仓库库存编号：
IRL2203STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRL
仓库库存编号：
IRL620STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V,
含铅
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