规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSIATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50P06-15L_GE3
仓库库存编号:
SQD50P06-15L_GE3CT-ND
别名:SQD50P06-15L_GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
别名:IPB80N08S2L-07CT
IPB80N08S2L-07CT-ND
IPB80N08S2L07ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8743PBF
仓库库存编号:
IRLB8743PBF-ND
别名:SP001572884
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),192A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF8301MTRPBF
仓库库存编号:
IRF8301MTRPBFCT-ND
别名:IRF8301MTRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 100mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
VP2450N3-G
仓库库存编号:
VP2450N3-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB009N03L G
仓库库存编号:
IPB009N03L GCT-ND
别名:IPB009N03L GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 105A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
AOT240L
仓库库存编号:
785-1270-5-ND
别名:785-1270-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3713STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3713STRLPBFCT-ND
别名:IRL3713STRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04L G
仓库库存编号:
IPB015N04L GCT-ND
别名:IPB015N04L GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE818DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE818DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE818DF-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB019N06L3 G
仓库库存编号:
IPB019N06L3 GCT-ND
别名:IPB019N06L3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18532KCS
仓库库存编号:
296-34941-5-ND
别名:296-34941-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS3036TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS3036TRL7PPCT-ND
别名:IRLS3036TRL7PPCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04L G
仓库库存编号:
IPB011N04L GCT-ND
别名:IPB011N04L GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS4030TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS4030TRLPBFCT-ND
别名:IRLS4030TRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB016N06L3 G
仓库库存编号:
IPB016N06L3 GCT-ND
别名:IPB016N06L3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4388-ND
别名:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.2A(Ta),53A(Tc) 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP53P06-20-E3
仓库库存编号:
SUP53P06-20-E3-ND
别名:SUP53P0620E3
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB3034PBF
仓库库存编号:
IRLB3034PBF-ND
别名:64-0061PBF
64-0061PBF-ND
SP001578716
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50020EL-GE3
仓库库存编号:
SUP50020EL-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF03L-04
仓库库存编号:
497-2676-5-ND
别名:497-2676-5
STP80NF03L04
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB3036PBF
仓库库存编号:
IRLB3036PBF-ND
别名:64-0100PBF
64-0100PBF-ND
SP001568396
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Ta) 187W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8030L
仓库库存编号:
FDP8030LFS-ND
别名:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS84PH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS84PH6433XTMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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