规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(648)
分立半导体产品
(648)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(9)
Central Semiconductor Corp(6)
Diodes Incorporated(79)
Fairchild/Micross Components(49)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
Infineon Technologies(27)
Kionix Inc.(1)
Micro Commercial Co(2)
Microchip Technology(49)
Nexperia USA Inc.(79)
NXP USA Inc.(72)
ON Semiconductor(108)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(5)
STMicroelectronics(126)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Vishay BC Components(3)
Vishay Beyschlag(10)
Vishay Electro-Films(2)
Vishay Huntington Electric Inc.(1)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Sfernice(4)
Vishay Siliconix(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 1W(Ta),102W(Tc) 8-HSON
型号:
NP50P03YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP50P03YDG-E1-AYTR-ND
别名:NP50P03YDG-E1-AY-ND
NP50P03YDG-E1-AYTR
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75P04YLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75P04YLG-E1-AYCT-ND
别名:NP75P04YLG-E1-AYCT
NP75P04YLGE1AY
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 200mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002MTF
仓库库存编号:
2N7002MTFCT-ND
别名:2N7002MTFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) DPAK
型号:
NTDV5805NT4G
仓库库存编号:
NTDV5805NT4G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16.5A(Ta),116A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
NVB5405NT4G
仓库库存编号:
NVB5405NT4G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 38A(Tc) 2.1W(Ta),38W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1413
仓库库存编号:
AOL1413-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R4-30E,118
仓库库存编号:
568-9568-1-ND
别名:568-9568-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R5-60E,127
仓库库存编号:
1727-7249-ND
别名:1727-7249
568-9864-5
568-9864-5-ND
934066476127
BUK953R560E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK968R3-40E,118
仓库库存编号:
568-9893-1-ND
别名:568-9893-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK954R8-60E,127
仓库库存编号:
1727-1132-ND
别名:1727-1132
568-10287
568-10287-5
568-10287-5-ND
568-10287-ND
934066477127
BUK954R8-60E,127-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R5-30E,118
仓库库存编号:
568-10172-1-ND
别名:568-10172-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
不受无铅要求限制
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_D87Z
仓库库存编号:
2N7002_D87ZCT-ND
别名:2N7002_D87ZCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-E3
仓库库存编号:
2N7002-E3CT-ND
别名:2N7002-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R7-40E,118
仓库库存编号:
568-10248-1-ND
别名:568-10248-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R1-40E,118
仓库库存编号:
568-10249-1-ND
别名:568-10249-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 190mA(Ta) 265mW(Ta),1.33W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX7002AKAR
仓库库存编号:
1727-1290-1-ND
别名:1727-1290-1
568-10511-1
568-10511-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-2
仓库库存编号:
2N6660-2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-E3
仓库库存编号:
2N6660-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTVP02
仓库库存编号:
2N6660JTVP02-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTX02
仓库库存编号:
2N6660JTX02-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXL02
仓库库存编号:
2N6660JTXL02-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXP02
仓库库存编号:
2N6660JTXP02-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXV02
仓库库存编号:
2N6660JTXV02-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661
仓库库存编号:
2N6661-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661-2
仓库库存编号:
2N6661-2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
搜索
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号