规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道
型号:
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03LSGATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SJ168TE85LF
仓库库存编号:
2SJ168TE85LFCT-ND
别名:2SJ168TE85LFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A,118
仓库库存编号:
1727-7155-1-ND
别名:1727-7155-1
568-9638-1
568-9638-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.6W(Ta),2.8W(Tc)
型号:
SI1443EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1443EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1443EDH-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 350mW(Ta)
型号:
2N7002E-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002E-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002E-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S215ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S215ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S215ATMA2CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN3320A
仓库库存编号:
ZVN3320A-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW SOT-23
型号:
SI2306-TP
仓库库存编号:
SI2306-TPMSCT-ND
别名:SI2306-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2303-TP
仓库库存编号:
SI2303-TPMSCT-ND
别名:SI2303-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2304-TP
仓库库存编号:
SI2304-TPMSCT-ND
别名:SI2304-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2310-TP
仓库库存编号:
SI2310-TPMSCT-ND
别名:SI2310-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3407-TP
仓库库存编号:
SI3407-TPMSCT-ND
别名:SI3407-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4410-TP
仓库库存编号:
MCQ4410-TPMSCT-ND
别名:MCQ4410-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 0.9A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta),2.5A(Tc) 3.1W(Ta),25W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7462
仓库库存编号:
785-1314-1-ND
别名:785-1314-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N25
仓库库存编号:
FDU6N25-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4407-TP
仓库库存编号:
MCQ4407-TPMSCT-ND
别名:MCQ4407-TPMSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60A
仓库库存编号:
785-1663-1-ND
别名:785-1663-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT5P10TF
仓库库存编号:
FQT5P10TFCT-ND
别名:FQT5P10TFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.15A(Ta) 730mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2328DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2328DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2328DS-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVN3306FTA
仓库库存编号:
ZVN3306FCT-ND
别名:ZVN3306F
ZVN3306FCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001467042
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361ES-T1_GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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