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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37A（Tc） 138W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7640-100A,118
  仓库库存编号：1727-7171-1-ND
  别名：1727-7171-1
  568-9656-1
  568-9656-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 49A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7626-100B,118
  仓库库存编号：1727-4705-1-ND
  别名：1727-4705-1
  568-5855-1
  568-5855-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6607-55C,118
  仓库库存编号：1727-5513-1-ND
  别名：1727-5513-1
  568-6992-1
  568-6992-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 620V 4.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED625H
  仓库库存编号：497-13943-1-ND
  别名：497-13943-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P65YRQCT-ND
  别名：TK290P65YRQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V TO252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V TO-252AA
  
  型号：SQD40030E_GE3
  仓库库存编号：SQD40030E_GE3CT-ND
  别名：SQD40030E_GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7608-40B,118
  仓库库存编号：1727-4702-1-ND
  别名：1727-4702-1
  568-5850-1
  568-5850-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N62E-GE3-ND
  别名：SIHD6N62E-GE3CT
  SIHD6N62E-GE3CT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 78A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6610-75C,118
  仓库库存编号：1727-5515-1-ND
  别名：1727-5515-1
  568-6994-1
  568-6994-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  不适用
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 70W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4NB65CH C5G
  仓库库存编号：TSM4NB65CH C5G-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGTR
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGCT-ND
  别名：TSM80N950CP ROGCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGDKR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGDKR
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9.3A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK9P65W,RQ
  仓库库存编号：TK9P65WRQCT-ND
  别名：TK9P65WRQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7611-55A,118
  仓库库存编号：1727-7165-1-ND
  别名：1727-7165-1
  568-9649-1
  568-9649-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 41A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7635-100A,118
  仓库库存编号：1727-7169-1-ND
  别名：1727-7169-1
  568-9654-1
  568-9654-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 137W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK768R3-60E,118
  仓库库存编号：1727-7258-1-ND
  别名：1727-7258-1
  568-9887-1
  568-9887-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6607-75C,118
  仓库库存编号：1727-5514-1-ND
  别名：1727-5514-1
  568-6993-1
  568-6993-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 148W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN4R5-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7120-1-ND
  别名：1727-7120-1
  568-9490-1
  568-9490-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 525V 5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD6N52K3
  仓库库存编号：497-10118-1-ND
  别名：497-10118-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGTR
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGCT-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGDKR-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGDKR
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tj） 148W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN016-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7208-1-ND
  别名：1727-7208-1
  568-9699-1
  568-9699-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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