规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 91W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR48ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR48ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFR48ZTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R950C6
仓库库存编号:
IPB60R950C6CT-ND
别名:IPB60R950C6CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452TRPBF
仓库库存编号:
IRF7452PBFCT-ND
别名:*IRF7452TRPBF
IRF7452PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N50
仓库库存编号:
785-1176-5-ND
别名:785-1176-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP405-TL-H
仓库库存编号:
869-1088-1-ND
别名:869-1088-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH5R906NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH5R906NHL1QCT-ND
别名:TPH5R906NHL1QCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R450E6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R450E6ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600C6
仓库库存编号:
IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 96W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N4F6AG
仓库库存编号:
497-15475-1-ND
别名:497-15475-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60C3
仓库库存编号:
SPB04N60C3INCT-ND
别名:SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFD
仓库库存编号:
IPB65R660CFDCT-ND
别名:IPB65R660CFDCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD7LN80K5
仓库库存编号:
497-16491-1-ND
别名:497-16491-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 104W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU4N60
仓库库存编号:
785-1522-5-ND
别名:AOU4N60-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC017N04NS G
仓库库存编号:
BSC017N04NS GCT-ND
别名:BSC017N04NS GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010ESTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NF10
仓库库存编号:
497-7506-5-ND
别名:497-7506-5
STP14NF10-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010ZSTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7084TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7084TRPBFCT-ND
别名:IRFH7084TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB390N15A
仓库库存编号:
FDB390N15ACT-ND
别名:FDB390N15ACT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3806PBF
仓库库存编号:
IRFB3806PBF-ND
别名:SP001572380
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410PBF
仓库库存编号:
IRFU5410PBF-ND
别名:*IRFU5410PBF
SP001557796
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) CPT3
型号:
R6006ANDTL
仓库库存编号:
R6006ANDTLCT-ND
别名:R6006ANDTLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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