规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44NS
仓库库存编号:
AUIRFZ44NS-ND
别名:SP001521658
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 143W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLS3114Z
仓库库存编号:
AUIRLS3114Z-ND
别名:SP001516760
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZGPBF-ND
别名:SP001564604
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF4104GPBF
仓库库存编号:
IRF4104GPBF-ND
别名:SP001571350
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9837-5-ND
别名:568-9837-5
934066478127
BUK751R630E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9848-5-ND
别名:568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R0-80E,127
仓库库存编号:
568-9854-5-ND
别名:568-9854-5
934066516127
BUK7E4R080E127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70.4A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN4R6-100XS,127
仓库库存编号:
568-10158-5-ND
别名:568-10158
568-10158-5
568-10158-ND
934067065127
PSMN4R6-100XS,127-ND
PSMN4R6100XS127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4510GPBF
仓库库存编号:
IRFB4510GPBF-ND
别名:SP001572362
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292
仓库库存编号:
AUIRFR4292-ND
别名:SP001520304
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215S
仓库库存编号:
AUIRF6215S-ND
别名:SP001520176
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218S
仓库库存编号:
AUIRF6218S-ND
别名:SP001516490
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),184A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7738L2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7738L2TRPBFTR-ND
别名:IRF7738L2TRPBFTR
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 31A(Ta),156A(Tc) 3.3W(Ta),83W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7737L2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7737L2TRPBFTR-ND
别名:IRF7737L2TRPBFTR
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 56A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3607-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3607-701PBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 57A(Tc) 360W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4332-203PBF
仓库库存编号:
IRFP4332-203PBF-ND
别名:SP001556764
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 56A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3607TRL701P
仓库库存编号:
IRFU3607TRL701PTR-ND
别名:IRFU3607TRL701PTR
SP001557718
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名:IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名:SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 49A(Tj) 55W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN8R5-100XSQ
仓库库存编号:
568-10162-5-ND
别名:568-10162-5
934067377127
PSMN8R5100XSQ
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
不受无铅要求限制
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