规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(12767)
分立半导体产品
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1221)
Fairchild/ON Semiconductor(289)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Kionix Inc.(95)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(272)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(274)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(654)
Panasonic - ATG(4)
Panasonic Electronic Components(3)
Panasonic Industrial Automation Sales(7)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(91)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(199)
Vishay Beyschlag(648)
Vishay Electro-Films(267)
Vishay Huntington Electric Inc.(93)
Vishay Semiconductor Diodes Division(35)
Vishay Semiconductor Opto Division(18)
Vishay Sfernice(46)
Vishay Siliconix(121)
Vishay Spectrol(11)
Vishay Sprague(4)
Vishay Thin Film(5)
Vishay Vitramon(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
SP000415586
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI052NE7N3 G
仓库库存编号：
IPI052NE7N3 G-ND
别名：IPI052NE7N3G
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S403AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-03
IPI120N06S4-03-ND
SP000396308
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPI45N06S409AKSA1-ND
别名：IPI45N06S4-09
IPI45N06S4-09-ND
SP000374332
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-07
IPI80N06S4-07-ND
SP000415690
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP065N04N G
仓库库存编号：
IPP065N04N G-ND
别名：IPP065N04NG
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S403AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-03
IPP120N06S4-03-ND
SP000396380
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPP45N06S409AKSA1-ND
别名：IPP45N06S4-09
IPP45N06S4-09-ND
SP000374339
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4-07
IPP80N06S4-07-ND
SP000415706
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N06S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N06S404AKSA1-ND
别名：IPP90N06S4-04
IPP90N06S4-04-ND
SP000379634
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号：
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名：IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS118N10N G
仓库库存编号：
IPS118N10N G-ND
别名：SP000475890
SP000680974
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号：
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名：IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3077GPBF
仓库库存编号：
IRFB3077GPBF-ND
别名：SP001555982
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310GPBF
仓库库存编号：
IRFB4310GPBF-ND
别名：SP001564018
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
498
499
500
501
502
503
504
505
506
507
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
