规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB26CNE8N G
仓库库存编号：
IPB26CNE8N G-ND
别名：SP000292948
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名：IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号：
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名：IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB79CN10N G
仓库库存编号：
IPB79CN10N G-ND
别名：SP000277697
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3-05-ND
别名：SP000102222
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CNE8N G
仓库库存编号：
IPD12CNE8N G-ND
别名：SP000096477
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名：IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CN10N G
仓库库存编号：
IPD16CN10N G-ND
别名：SP000096454
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CNE8N G
仓库库存编号：
IPD16CNE8N G-ND
别名：SP000096455
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD170N04NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD170N04NGBTMA1TR-ND
别名：IPD170N04N G
IPD170N04N G-ND
SP000388297
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CNE8N G
仓库库存编号：
IPD25CNE8N G-ND
别名：SP000096457
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名：IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD49CN10N G
仓库库存编号：
IPD49CN10N G-ND
别名：SP000096459
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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