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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL33N15DTRRP
  仓库库存编号：IRFSL33N15DTRRP-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRPBF-ND
  别名：SP001556902
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3412TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3412TRPBF-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3418TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3418TRPBF-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4620PBF
  仓库库存编号：IRFSL4620PBF-ND
  别名：SP001567964
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5620PBF
  仓库库存编号：IRFSL5620PBF-ND
  别名：SP001552384
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4620PBF
  仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND
  别名：SP001573610
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5620TRLPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD77NQ03T,118
  仓库库存编号：PHD77NQ03T,118-ND
  别名：934060505118
  PHD77NQ03T /T3
  PHD77NQ03T /T3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU77NQ03T,127
  仓库库存编号：PHU77NQ03T,127-ND
  别名：934060504127
  PHU77NQ03T
  PHU77NQ03T-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC152N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
  别名：BSC152N10NSF G
  BSC152N10NSF G-ND
  SP000379601
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP321PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP321PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSP321P L6327
  BSP321P L6327-ND
  SP000212228
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R520CP
  IPA60R520CP-ND
  SP000405856
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R600CP
  IPA60R600CP-ND
  SP000405884
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB05CN10N G
  仓库库存编号：IPB05CN10N G-ND
  别名：SP000096440
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB06CN10N G
  仓库库存编号：IPB06CN10N G-ND
  别名：SP000096446
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB08CN10N G
  仓库库存编号：IPB08CN10N G-ND
  别名：SP000096448
  
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  MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB08CNE8N G
  仓库库存编号：IPB08CNE8N G-ND
  别名：SP000096449
  
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  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N04S2-04
  IPB100N04S2-04-ND
  SP000219061
  
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  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N06S2-05
  IPB100N06S2-05-ND
  SP000218874
  
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  MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB12CN10N G
  仓库库存编号：IPB12CN10N G-ND
  别名：SP000096450
  
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  MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB12CNE8N G
  仓库库存编号：IPB12CNE8N G-ND
  别名：SP000096451
  
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  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S203ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N04S203ATMA1TR-ND
  别名：IPB160N04S2-03
  IPB160N04S2-03-ND
  SP000218151
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB16CN10N G
  仓库库存编号：IPB16CN10N G-ND
  别名：SP000096452
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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