规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU30P06P
仓库库存编号：
SPU30P06PIN-ND
别名：SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名：SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW17N80C3A
仓库库存编号：
SPW17N80C3A-ND
别名：SP000101842
SPW17N80C3AX
SPW17N80C3AXK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB050N06NGATMA1
仓库库存编号：
IPB050N06NGATMA1CT-ND
别名：IPB050N06NG
IPB050N06NGINCT
IPB050N06NGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N06N G
仓库库存编号：
IPB120N06NGINCT-ND
别名：IPB120N06NG
IPB120N06NGINCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S3-16
仓库库存编号：
IPB45N06S3-16INCT-ND
别名：IPB45N06S3-16INCT
IPB45N06S316
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD144N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD144N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD144N06NG
IPD144N06NGINCT
IPD144N06NGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD800N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD800N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD800N06NG
IPD800N06NGINCT
IPD800N06NGINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB07N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB07N60S5INCT
SPB07N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L G
仓库库存编号：
SPB10N10LGINCT-ND
别名：SPB10N10LG
SPB10N10LGINCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB20N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB20N60S5INCT
SPB20N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N80C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N80C3BTMA1CT-ND
别名：SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5
仓库库存编号：
SPD04N60S5INCT-ND
别名：SPD04N60S5INCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N80C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N80C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N80C3INCT
SPD04N80C3INCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N20
仓库库存编号：
SPD07N20INCT-ND
别名：SPD07N20INCT
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