规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名：IRF6644TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名：IRF6645TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6646TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6646TR1PBFCT-ND
别名：IRF6646TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6648TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6648TR1PBFCT-ND
别名：IRF6648TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.3A（Ta），47A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6662TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6662TR1PBFCT-ND
别名：IRF6662TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名：IRF6665TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6668TR1PBFCT-ND
别名：IRF6668TR1PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名：BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SNTMA1TR-ND
别名：BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO613SPV
仓库库存编号：
BSO613SPV-ND
别名：BSO613SPVT
SP000012847
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP298 E6327
仓库库存编号：
BSP298 E6327-ND
别名：BSP298E6327T
SP000011109
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名：BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299 E6327
仓库库存编号：
BSP299 E6327-ND
别名：BSP299E6327T
SP000011110
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP300 E6327
仓库库存编号：
BSP300 E6327-ND
别名：BSP300E6327T
SP000011111
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名：BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320S E6327
仓库库存编号：
BSP320S E6327-ND
别名：BSP320SE6327T
SP000011115
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320S E6433
仓库库存编号：
BSP320S E6433-ND
别名：BSP320SE6433T
SP000011116
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373 E6327
仓库库存编号：
BSP373 E6327-ND
别名：BSP373E6327T
SP000011121
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613P
仓库库存编号：
BSP613P-ND
别名：BSP613PT
SP000012301
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30A E3045A
仓库库存编号：
BUZ30A E3045A-ND
别名：BUZ30AE3045AT
SP000011337
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
型号：
BUZ31 E3045A
仓库库存编号：
BUZ31 E3045A-ND
别名：BUZ31E3045AT
SP000011343
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ32
仓库库存编号：
BUZ32IN-ND
别名：BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
BUZ32 E3045A
仓库库存编号：
BUZ32 E3045A-ND
别名：BUZ32E3045AT
SP000011346
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名：BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73E3046XK
仓库库存编号：
BUZ73E3046XK-ND
别名：BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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482
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