规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6790U
仓库库存编号：
2N6790U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6796
仓库库存编号：
2N6796-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6796U
仓库库存编号：
2N6796U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6798
仓库库存编号：
2N6798-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6798U
仓库库存编号：
2N6798U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6800
仓库库存编号：
2N6800-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6800U
仓库库存编号：
2N6800U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6802
仓库库存编号：
2N6802-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6802U
仓库库存编号：
2N6802U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6849
仓库库存编号：
2N6849-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6849U
仓库库存编号：
2N6849U-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
AOT10T60L
仓库库存编号：
785-1635-5-ND
别名：785-1635-5
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10T60
仓库库存编号：
785-1637-5-ND
别名：785-1637-5
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
型号：
IXTY12N06TTRL
仓库库存编号：
IXTY12N06TTRLCT-ND
别名：IXTY12N06TTRLCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1400V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
型号：
IXTT12N140
仓库库存编号：
IXTT12N140-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
MKE11R600DCGFC
仓库库存编号：
MKE11R600DCGFC-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK12V60WLVQCT-ND
别名：TK12V60WLVQCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK16V60WLVQCT-ND
别名：TK16V60WLVQCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764T1
仓库库存编号：
2N6764T1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6768T1
仓库库存编号：
2N6768T1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6770T1
仓库库存编号：
2N6770T1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 50V SC-75
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 150mA（Ta） 250mW（Ta），770mW（Tc） SC-75
型号：
BSS84AKT,115
仓库库存编号：
568-10473-1-ND
别名：568-10473-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
型号：
FDB8132_F085
仓库库存编号：
FDB8132_F085CT-ND
别名：FDB8132_F085CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113
仓库库存编号：
IRFD113-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP21N60L
仓库库存编号：
IRFP21N60L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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