规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK6013DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK6013DPP-E0#T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK6014DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK6014DPP-E0#T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6015DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6015DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
型号：
RJK6015DPM-00#T1
仓库库存编号：
RJK6015DPM-00#T1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6018DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
型号：
RJK6018DPM-00#T1
仓库库存编号：
RJK6018DPM-00#T1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6020DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 62.5W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK6026DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK6026DPE-00#J3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 29.5W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK6035DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK6035DPP-E0#T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJL5012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJL5012DPE-00#J3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FL
型号：
RJL5012DPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJL5012DPP-M0#T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
型号：
RJL5014DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL5014DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 38A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL5020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL5020DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJL6012DPE-00#J3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJL6013DPE-00#J3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL6018DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL6018DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL6020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL6020DPK-00#T0-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
型号：
APT15F60S
仓库库存编号：
APT15F60S-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
型号：
APT18F60S
仓库库存编号：
APT18F60S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
型号：
APT20F50S
仓库库存编号：
APT20F50S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
型号：
APT23F60S
仓库库存编号：
APT23F60S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
型号：
APT24F50S
仓库库存编号：
APT24F50S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT28F60S
仓库库存编号：
APT28F60S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
型号：
APT11F80S
仓库库存编号：
APT11F80S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
型号：
APT38N60SC6
仓库库存编号：
APT38N60SC6-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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