规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(12767)
分立半导体产品
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1221)
Fairchild/ON Semiconductor(289)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Kionix Inc.(95)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(272)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(274)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(654)
Panasonic - ATG(4)
Panasonic Electronic Components(3)
Panasonic Industrial Automation Sales(7)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(91)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(199)
Vishay Beyschlag(648)
Vishay Electro-Films(267)
Vishay Huntington Electric Inc.(93)
Vishay Semiconductor Diodes Division(35)
Vishay Semiconductor Opto Division(18)
Vishay Sfernice(46)
Vishay Siliconix(121)
Vishay Spectrol(11)
Vishay Sprague(4)
Vishay Thin Film(5)
Vishay Vitramon(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N03KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03KUG-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04KUG-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUG-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055KUG-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N04KHE-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-220-3
型号:
NP80N055MHE-S18-AY
仓库库存编号:
NP80N055MHE-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-262
型号:
NP82N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP82N04NUG-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N04NUG-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP88N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N075KUE-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-220-3
型号:
NP88N075MUE-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N075MUE-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),217W(Tc) TO-220-3
型号:
NP90N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N04MUG-S18-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP30N60E-E3-ND
别名:SIHP30N60EE3
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 250V 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK20A25D,S5Q(M
仓库库存编号:
TK20A25DS5Q(M-ND
别名:TK20A25D(Q)
TK20A25D(Q)-ND
TK20A25DQ
TK20A25DS5Q(M
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Ta) 93W(Tc) DPAK+
型号:
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
别名:TK40S10K3Z(T6L1NQ
TK40S10K3ZT6L1NQ
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A50D(STA4QM)-ND
别名:TK4A50D(STA4QM)
TK4A50DSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A53D(STA4QM)-ND
别名:TK4A53D(STA4QM)
TK4A53DSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A55DA(STA4QM)
TK4A55DASTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A55D(STA4QM)-ND
别名:TK4A55D(STA4QM)
TK4A55DSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A60DB(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60DB(STA4QM)-ND
别名:TK4A60DB(STA4QM)
TK4A60DBSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A65DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A65DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A65DA(STA4QM)
TK4A65DASTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P50DT6RSSQ
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DAT6RSSQ
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DT6RSSQ
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
431
432
433
434
435
436
437
438
439
440
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号