规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-4422-1-ND
别名:1727-4422-1
568-5295-1
568-5295-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 40A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN014-60LS,115
仓库库存编号:
568-5308-1-ND
别名:568-5308-1
PSMN01460LS115
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28.43A(Tc) 60W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y35-55B,115
仓库库存编号:
568-5520-1-ND
别名:568-5520-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 21.4A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y54-75B,115
仓库库存编号:
568-5521-1-ND
别名:568-5521-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN035-100LS,115
仓库库存编号:
568-5585-1-ND
别名:568-5585-1
PSMN035100LS115
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 64A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7619-100B,118
仓库库存编号:
568-5853-1-ND
别名:568-5853-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号:
568-5854-1-ND
别名:568-5854-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R3-40B,118
仓库库存编号:
568-6580-1-ND
别名:568-6580-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB110NQ08T,118
仓库库存编号:
1727-5266-1-ND
别名:1727-5266-1
568-6591-1
568-6591-1-ND
PHB110NQ08T118
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730ALPBF
仓库库存编号:
IRF730ALPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 36W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1N60ATRRPBF
仓库库存编号:
IRFR1N60ATRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9310TRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4104DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4104DY-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 32A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7186DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7186DP-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7452DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7452DP-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7452DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7452DP-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE816DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE816DF-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE816DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE816DF-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18.3A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE836DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE836DF-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-E3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE862DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE862DF-T1-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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