规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 30A(Ta) 2W(Ta),214W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N20
仓库库存编号:
NTB30N20-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-006
仓库库存编号:
NTB75N03-006-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-6G
仓库库存编号:
NTB75N03-6G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-6T4G
仓库库存编号:
NTB75N03-6T4G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD12N10-1G
仓库库存编号:
NTD12N10-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06
仓库库存编号:
NTD18N06-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) I-Pak
型号:
NTD18N06-1G
仓库库存编号:
NTD18N06-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06G
仓库库存编号:
NTD18N06G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06-1G
仓库库存编号:
NTD20N06-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-1G
仓库库存编号:
NTD24N06-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094
仓库库存编号:
NTD3055-094-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1
仓库库存编号:
NTD3055-094-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1G
仓库库存编号:
NTD3055-094-1GOS-ND
别名:NTD3055-094-1G-ND
NTD3055-094-1GOS
NTD30550941G
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.8W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-150-1G
仓库库存编号:
NTD3055-150-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD32N06
仓库库存编号:
NTD32N06-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06-1G
仓库库存编号:
NTD32N06-1G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06G
仓库库存编号:
NTD32N06G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 2.4W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP2955
仓库库存编号:
NTP2955-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 37A(Ta) 2W(Ta),178W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP35N15G
仓库库存编号:
NTP35N15G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03-6G
仓库库存编号:
NTP75N03-6G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 123A(Tc) 313W(Tc) TO-264
型号:
NTY100N10
仓库库存编号:
NTY100N10-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 123A(Tc) 313W(Tc) TO-264
型号:
NTY100N10G
仓库库存编号:
NTY100N10G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LLRLRA
仓库库存编号:
VN2222LLRLRA-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2LLG
仓库库存编号:
APT10035B2LLG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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