规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9Z14L
仓库库存编号：
IRF9Z14L-ND
别名：*IRF9Z14L
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14STRL
仓库库存编号：
IRF9Z14STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14STRR
仓库库存编号：
IRF9Z14STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRL
仓库库存编号：
IRF9Z24STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRR
仓库库存编号：
IRF9Z34STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRL
仓库库存编号：
IRFBC20STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRR
仓库库存编号：
IRFBC20STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30AL
仓库库存编号：
IRFBC30AL-ND
别名：*IRFBC30AL
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRL
仓库库存编号：
IRFBC30STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRR
仓库库存编号：
IRFBC30STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40AL
仓库库存编号：
IRFBC40AL-ND
别名：*IRFBC40AL
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40LCL
仓库库存编号：
IRFBC40LCL-ND
别名：*IRFBC40LCL
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LC
仓库库存编号：
IRFBC40LC-ND
别名：*IRFBC40LC
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCS
仓库库存编号：
IRFBC40LCS-ND
别名：*IRFBC40LCS
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号：
IRFBC40LCSTRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRL
仓库库存编号：
IRFBC40STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRR
仓库库存编号：
IRFBC40STRR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBE20L
仓库库存编号：
IRFBE20L-ND
别名：*IRFBE20L
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE20S
仓库库存编号：
IRFBE20S-ND
别名：*IRFBE20S
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE20STRL
仓库库存编号：
IRFBE20STRL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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