规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN13008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPN13008NHL1QCT-ND
别名：TPN13008NHL1QCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3303PBFCT-ND
别名：*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TRPBF
仓库库存编号：
IRFR4105PBFCT-ND
别名：*IRFR4105TRPBF
IRFR4105PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC22DN20NS3 GCT-ND
别名：BSC22DN20NS3 GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名：*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名：IRFR9N20DTRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TM
仓库库存编号：
FQD7N30TMCT-ND
别名：FQD7N30TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 72W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD16N05SM9A
仓库库存编号：
RFD16N05SM9ACT-ND
别名：RFD16N05SM9ACT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名：IRFR3806TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP298H6327XUSA1
仓库库存编号：
BSP298H6327XUSA1CT-ND
别名：BSP298H6327XUSA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600P6ATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451TRPBF
仓库库存编号：
IRF7451PBFCT-ND
别名：*IRF7451TRPBF
IRF7451PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD5N50NZTM
仓库库存编号：
FDD5N50NZTMCT-ND
别名：FDD5N50NZTMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名：BSC12DN20NS3GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
型号：
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名：IPL60R650P6SATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
FDD6N50FTM
仓库库存编号：
FDD6N50FTMCT-ND
别名：FDD6N50FTMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号：
IRFR4104PBFCT-ND
别名：*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FCD4N60TM
仓库库存编号：
FCD4N60TMCT-ND
别名：FCD4N60TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 50W（Tc） DPAK+
型号：
TK7S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK7S10N1ZLQCT-ND
别名：TK7S10N1ZLQCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P G
仓库库存编号：
SPD30P06P GCT-ND
别名：SPD30P06P GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7473TRPBF
仓库库存编号：
IRF7473PBFCT-ND
别名：*IRF7473TRPBF
IRF7473PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6655TRPBF
仓库库存编号：
IRF6655TRPBFCT-ND
别名：IRF6655TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N60CTM
仓库库存编号：
FQD5N60CTMCT-ND
别名：FQD5N60CTMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TRPBF
仓库库存编号：
IRF7450PBFCT-ND
别名：*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ900N20NS3 G
仓库库存编号：
BSZ900N20NS3GCT-ND
别名：BSZ900N20NS3GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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