规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名：SP001063636
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 69A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFZ48N
仓库库存编号：
AUIRFZ48N-ND
别名：SP001518286
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），108A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET? M4
型号：
AUIRF7736M2TR
仓库库存编号：
AUIRF7736M2TR-ND
别名：SP001517214
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名：IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07-ND
SP000219048
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名：SP000899314
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44VZSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ44VZSTRL-ND
别名：SP001522838
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N08S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S404ATMA1-ND
别名：SP000989094
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 231W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB240N04S41R0ATMA1
仓库库存编号：
IPB240N04S41R0ATMA1-ND
别名：SP000998288
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001277630
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名：SP001102592
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名：IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名：IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名：IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R299CP
仓库库存编号：
IPB60R299CPCT-ND
别名：IPB60R299CPCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N08S406AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N08S406AKSA1-ND
别名：SP000984300
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1010EZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1010EZSTRL-ND
别名：SP001520896
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名：SP001028776
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名：IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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