规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 690A(Tc) 2500W(Tc) Y3-DCB
型号:
VMO650-01F
仓库库存编号:
VMO650-01F-ND
别名:Q1434129
VM0650-01F
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 129A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM60FAG
仓库库存编号:
APTM100UM60FAG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 171A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM70DAG
仓库库存编号:
APTM120UM70DAG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 497A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM50UM09FAG
仓库库存编号:
APTM50UM09FAG-ND
别名:APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 116A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号:
APTM120U10SCAVG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 215A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM45FAG
仓库库存编号:
APTM100UM45FAG-ND
别名:APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号:
APTM100UM65SCAVG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 171A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM70FAG
仓库库存编号:
APTM120UM70FAG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.6A(Tc) 29W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R3K4CEAUMA1-ND
别名:SP001422856
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R2K1CEATMA1-ND
别名:SP001664860
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名:SP001058772
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001605400
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 61W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名:SP001396378
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942916
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 7.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001646912
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名:SP001063628
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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