规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90DAM60CT1G
仓库库存编号：
APTC90DAM60CT1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90SKM60CT1G
仓库库存编号：
APTC90SKM60CT1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M60JLL
仓库库存编号：
APT60M60JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 690AW（Tc） ISOTOP?
型号：
APT12031JFLL
仓库库存编号：
APT12031JFLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 2500V 5A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX5N250
仓库库存编号：
IXTX5N250-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
型号：
APTML60U12R020T1AG
仓库库存编号：
APTML60U12R020T1AG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 568W（Tc） SP1
型号：
APTML50UM90R020T1AG
仓库库存编号：
APTML50UM90R020T1AG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 143A（Tc） 833W（Tc） SP4
型号：
APTC60DAM18CTG
仓库库存编号：
APTC60DAM18CTG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM50DAM19G
仓库库存编号：
APTM50DAM19G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM19G
仓库库存编号：
APTM50SKM19G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM05G
仓库库存编号：
APTM20DAM05G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20SKM05G
仓库库存编号：
APTM20SKM05G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
仓库库存编号：
APTM10SKM02G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50DAM17G
仓库库存编号：
APTM50DAM17G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM17G
仓库库存编号：
APTM50SKM17G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM04G
仓库库存编号：
APTM20DAM04G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100DAM90G
仓库库存编号：
APTM100DAM90G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100SKM90G
仓库库存编号：
APTM100SKM90G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 570A（Tc） 1660W（Tc） SP6
型号：
APTM10UM02FAG
仓库库存编号：
APTM10UM02FAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 417A（Tc） 1560W（Tc） SP6
型号：
APTM20UM04SAG
仓库库存编号：
APTM20UM04SAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 590A（Tc） 2200W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO550-01F
仓库库存编号：
VMO550-01F-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65DAG
仓库库存编号：
APTM100UM65DAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 335A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM13SAG
仓库库存编号：
APTM50UM13SAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SAG
仓库库存编号：
APTM120U10SAG-ND
别名：APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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