规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号：
APTC90SKM60T1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号：
APTC90DAM60T1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE36N100
仓库库存编号：
IXFE36N100-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80M60J
仓库库存编号：
APT80M60J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N110P
仓库库存编号：
IXFN36N110P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE39N90
仓库库存编号：
IXFE39N90-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 45A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT45M100J
仓库库存编号：
APT45M100J-ND
别名：APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN39N90
仓库库存编号：
IXFN39N90-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N120P
仓库库存编号：
IXFN32N120P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80F60J
仓库库存编号：
APT80F60J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN5N250
仓库库存编号：
IXTN5N250-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号：
APTM120DA30CT1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号：
APTC60SKM24CT1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT20M11JVR
仓库库存编号：
APT20M11JVR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JLL
仓库库存编号：
APT60M75JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M19JVR
仓库库存编号：
APT30M19JVR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM10DAM05TG
仓库库存编号：
APTM10DAM05TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM10SKM05TG
仓库库存编号：
APTM10SKM05TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M19JVFR
仓库库存编号：
APT30M19JVFR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT20M11JVFR
仓库库存编号：
APT20M11JVFR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 62A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JVR
仓库库存编号：
APT60M75JVR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20DAM08TG
仓库库存编号：
APTM20DAM08TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20SKM08TG
仓库库存编号：
APTM20SKM08TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM100DA18TG
仓库库存编号：
APTM100DA18TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
型号：
APTM100SK18TG
仓库库存编号：
APTM100SK18TG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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