规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 24A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
型号：
IXFL32N120P
仓库库存编号：
IXFL32N120P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30T1G
仓库库存编号：
APTM120DA30T1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2FLLG
仓库库存编号：
APT12057B2FLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
型号：
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号：
MMIX1F44N100Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N110P
仓库库存编号：
IXFN30N110P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M75L2LLG
仓库库存编号：
APT60M75L2LLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N100P
仓库库存编号：
IXFN26N100P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N120P
仓库库存编号：
IXFN26N120P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M75L2FLLG
仓库库存编号：
APT60M75L2FLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100Q3
仓库库存编号：
IXFN44N100Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号：
APTC60DAM24T1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110Q3
仓库库存编号：
IXFN40N110Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 25A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10035JLL
仓库库存编号：
APT10035JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 480V 80A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N48
仓库库存编号：
IXFN80N48-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 109A（Tc） 480W（Tc） SP1
型号：
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号：
APTML20UM18R010T1AG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN130N30
仓库库存编号：
IXFN130N30-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 154A（Tc） 480W（Tc） SP1
型号：
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号：
APTML10UM09R004T1AG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT5010JVRU3
仓库库存编号：
APT5010JVRU3-ND
别名：APT5010JVRU3MI
APT5010JVRU3MI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 71A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M50JLL
仓库库存编号：
APT50M50JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 1100V 24A（Tc） 500W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F40N110P
仓库库存编号：
MMIX1F40N110P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
JANTX2N6804
仓库库存编号：
1088-1031-ND
别名：1088-1031
1088-1031-MIL
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 34A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN34N100
仓库库存编号：
IXFN34N100-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N120P
仓库库存编号：
IXFN30N120P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 34A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110P
仓库库存编号：
IXFN40N110P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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