规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号：
TK31J60W5S1VQ-ND
别名：TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH75N15
仓库库存编号：
IXTH75N15-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50Q
仓库库存编号：
IXFH21N50Q-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT24P20
仓库库存编号：
IXTT24P20-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14F100B
仓库库存编号：
APT14F100B-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP35N60C5
仓库库存编号：
IXKP35N60C5-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 6A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N150
仓库库存编号：
IXTH6N150-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 40V 420A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH420N04T2
仓库库存编号：
IXTH420N04T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
IXTJ4N150
仓库库存编号：
IXTJ4N150-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT36N50P
仓库库存编号：
IXTT36N50P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT30N60P
仓库库存编号：
IXTT30N60P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120
仓库库存编号：
IXFH6N120-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXFT21N50Q
仓库库存编号：
IXFT21N50Q-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ100N25P
仓库库存编号：
IXTQ100N25P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N20P
仓库库存编号：
IXTQ120N20P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ150N15P
仓库库存编号：
IXTQ150N15P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N90
仓库库存编号：
IXTH6N90-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK170N10P
仓库库存编号：
IXTK170N10P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 360A（Tc） 935W（Tc） TO-268
型号：
IXTT360N055T2
仓库库存编号：
IXTT360N055T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N80P
仓库库存编号：
IXFK24N80P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N90Q
仓库库存编号：
IXFH7N90Q-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-268
型号：
IXTT170N10P
仓库库存编号：
IXTT170N10P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80Q
仓库库存编号：
IXFH9N80Q-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT11P50
仓库库存编号：
IXTT11P50-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXFT18N90P
仓库库存编号：
IXFT18N90P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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