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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0603DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0603DPN-E0#T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055P
  仓库库存编号：IXTP110N055P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N120P
  仓库库存编号：IXTP1N120P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP42N25P
  仓库库存编号：IXTP42N25P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP62N15P
  仓库库存编号：IXTP62N15P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK0703DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0703DPP-E0#T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1003DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPP-E0#T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 37A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB42S60L
  仓库库存编号：AOB42S60L-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG16N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG16N50C-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60EL-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP460P2
  仓库库存编号：IXTP460P2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK10Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK10Q60WS1VQ-ND
  别名：TK10Q60W,S1VQ(S
  TK10Q60WS1VQ
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001632932
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60D(STA4QM)
  TK15A60DSTA4QM
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6018ANJTL
  仓库库存编号：R6018ANJTL-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA130N10T2
  仓库库存编号：IXFA130N10T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ10N80P
  仓库库存编号：IXFQ10N80P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055P
  仓库库存编号：IXTA110N055P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA42N25P
  仓库库存编号：IXTA42N25P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA50N20P
  仓库库存编号：IXTA50N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 62A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA62N15P
  仓库库存编号：IXTA62N15P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA75N10P
  仓库库存编号：IXTA75N10P-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK10A60WS4VX-ND
  别名：TK10A60W,S4VX(M
  TK10A60WS4VX
  
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