规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-04-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-04-E3TR-ND
别名:SUM110N04-04-E3-ND
SUM110N04-04-E3TR
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 1.2W(Ta),147W(Tc) TO-252-3
型号:
NP90N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N055VUK-E1-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658180
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRRPBF
仓库库存编号:
IRF740STRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60P
仓库库存编号:
IXTP7N60P-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号:
DMNH4005SCTQ-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644620
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644628
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRLP-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRRP-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263AB
型号:
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSTRRPBF-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Ta) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX330N25
仓库库存编号:
RCX330N25-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Ta) 40W(Tc) TO-220
型号:
FKP202
仓库库存编号:
FKP202-ND
别名:FKP202 DK
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号:
DMNH6008SCTQDI-ND
别名:DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 1.5W(Ta),156W(Tc) TO-220-3
型号:
N0602N-S19-AY
仓库库存编号:
N0602N-S19-AY-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100
仓库库存编号:
IXTP05N100-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 77A(Tc) 217W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6411ANT4G
仓库库存编号:
NVB6411ANT4G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A65D(STA4QM)-ND
别名:TK7A65D(STA4QM)
TK7A65DSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NT3G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50P
仓库库存编号:
IXTP8N50P-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N04T2
仓库库存编号:
IXTA120N04T2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10P15T
仓库库存编号:
IXTP10P15T-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名:TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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