规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
2SK3566(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
2SK3566(STA4QM)-ND
别名：2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
型号：
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQV120N10-3M8_GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号：
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名：SQM120N04-1M7-GE3
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号：
SQM120N10-09_GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60T
仓库库存编号：
FCPF11N60T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA08N100P
仓库库存编号：
IXTA08N100P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA18P10T
仓库库存编号：
IXTA18P10T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32P05T
仓库库存编号：
IXTA32P05T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-252
型号：
IXTY4N60P
仓库库存编号：
IXTY4N60P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF25S65
仓库库存编号：
785-1530-5-ND
别名：AOWF25S65-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
型号：
2SK3801
仓库库存编号：
2SK3801-ND
别名：2SK3801 DK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-25L-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-262
型号：
AOW25S65
仓库库存编号：
785-1526-5-ND
别名：AOW25S65-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R900P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R900P7XKSA1-ND
别名：SP001633482
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R900P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R900P7XKSA1-ND
别名：SP001633486
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF23N60E-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220F
型号：
FCP11N60N_F102
仓库库存编号：
FCP11N60N_F102-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 93A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 93A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N06-08H-E3
仓库库存编号：
SUD50N06-08H-E3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP110N055T
仓库库存编号：
IXTP110N055T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA170N06AT4H
仓库库存编号：
NDBA170N06AT4H-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9640LPBF
仓库库存编号：
IRF9640LPBF-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5013ANJTL
仓库库存编号：
R5013ANJTL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB25N33TM_F085
仓库库存编号：
FQB25N33TM_F085-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024
仓库库存编号：
IRFD024-ND
别名：*IRFD024
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名：TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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