规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 40W（Tc） TO-263-3
型号：
SKP253VR
仓库库存编号：
SKP253VR-ND
别名：SKP253VR DK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 40W（Tc） TO-263-3
型号：
SKP253
仓库库存编号：
SKP253-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 114W（Tc） TO-252
型号：
IXFY5N50P3
仓库库存编号：
IXFY5N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP23N60E-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK9A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK9A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK9A55DA(STA4QM)
TK9A55DASTA4QM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK9A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK9A60D(STA4QM)-ND
别名：TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC20STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBC20STRLPBF-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名：SP001658160
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-251
型号：
IXTU01N80
仓库库存编号：
IXTU01N80-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA100N04T2
仓库库存编号：
IXTA100N04T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA70N075T2
仓库库存编号：
IXTA70N075T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N055T2
仓库库存编号：
IXTA90N055T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP120N04T2
仓库库存编号：
IXTP120N04T2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5860NG
仓库库存编号：
NTP5860NG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB18N60E-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号：
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名：SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-E3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-E3-ND
别名：SIHP17N60DE3
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-GE3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号：
1727-6502-ND
别名：1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号：
TK72E12N1S1X-ND
别名：TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF190N65FL1
仓库库存编号：
FCPF190N65FL1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQM120N06-06_GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 175W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQP120N06-06_GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号：
SQP120N10-09_GE3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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