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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48RPBF
  仓库库存编号：IRFZ48RPBF-ND
  别名：*IRFZ48RPBF
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50FTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50FTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50FTM_WSCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 113W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H600SH3
  仓库库存编号：DMJ70H600SH3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK42A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK42A12N1S4X-ND
  别名：TK42A12N1,S4X(S
  TK42A12N1,S4X-ND
  TK42A12N1S4X
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
  
  型号：N0412N-S19-AY
  仓库库存编号：N0412N-S19-AY-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R360P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R360P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606068
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A60DA(STA4QM)
  TK8A60DASTA4QM
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R5-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5283-ND
  别名：1727-5283
  568-6711
  568-6711-5
  568-6711-5-ND
  568-6711-ND
  934065163127
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFT3G-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK6Q60WS1VQ-ND
  别名：TK6Q60W,S1VQ(S
  TK6Q60WS1VQ
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 88.3W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK10V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK10V60WLVQCT-ND
  别名：TK10V60WLVQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K2P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K2P7AKMA1-ND
  别名：SP001644614
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R1K2P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R1K2P7AKMA1-ND
  别名：SP001644626
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DMTH6010SCT
  仓库库存编号：DMTH6010SCTDI-5-ND
  别名：DMTH6010SCTDI-5
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840LCLPBF
  仓库库存编号：IRF840LCLPBF-ND
  别名：*IRF840LCLPBF
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSPBF
  仓库库存编号：IRF840LCSPBF-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R900P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R900P7AKMA1-ND
  别名：SP001633512
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R900P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R900P7AKMA1-ND
  别名：SP001633526
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60N
  仓库库存编号：FCP11N60N-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N10-25-T4-E3
  仓库库存编号：SUD40N10-25-T4-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK11A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK11A45D(STA4QM)
  TK11A45DSTA4QM
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：ZDX130N50
  仓库库存编号：ZDX130N50-ND
  别名：ZDX130N50CT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1N100P
  仓库库存编号：IXTY1N100P-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N055T2
  仓库库存编号：IXTP90N055T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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