规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NK60Z
仓库库存编号:
497-3191-5-ND
别名:497-3191-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名:IRF5210STRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020PBF
仓库库存编号:
IRFD9020PBF-ND
别名:*IRFD9020PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N50NZU
仓库库存编号:
FDPF8N50NZU-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tj) 296W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R6-100BSEJ
仓库库存编号:
1727-1104-1-ND
别名:1727-1104-1
568-10259-1
568-10259-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N60M2
仓库库存编号:
497-13978-5-ND
别名:497-13978-5
STU6N60M2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9620PBF
仓库库存编号:
IRF9620PBF-ND
别名:*IRF9620PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644PBF
仓库库存编号:
IRF644PBF-ND
别名:*IRF644PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 92.6W(Tc) D-Pak
型号:
FCD9N60NTM
仓库库存编号:
FCD9N60NTMCT-ND
别名:FCD9N60NTMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3205PBF
仓库库存编号:
IRF3205PBF-ND
别名:*IRF3205PBF
64-0085PBF
64-0085PBF-ND
SP001559536
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-75C,118
仓库库存编号:
1727-5255-1-ND
别名:1727-5255-1
568-6579-1
568-6579-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520SPBF
仓库库存编号:
IRF9520SPBF-ND
别名:*IRF9520SPBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP7N60M2
仓库库存编号:
497-13975-5-ND
别名:497-13975-5
STP7N60M2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU2N80K5
仓库库存编号:
497-15022-5-ND
别名:497-15022-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 280mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0808L-G
仓库库存编号:
VP0808L-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB320N20N3 G
仓库库存编号:
IPB320N20N3 GCT-ND
别名:IPB320N20N3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF06
仓库库存编号:
497-4343-5-ND
别名:497-4343-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20PBF
仓库库存编号:
IRFBG20PBF-ND
别名:*IRFBG20PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530PBF
仓库库存编号:
IRF9530PBF-ND
别名:*IRF9530PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34PBF
仓库库存编号:
IRF9Z34PBF-ND
别名:*IRF9Z34PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 176W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R180P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R180P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R180P6AUMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R3-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7108-1-ND
别名:1727-7108-1
568-9478-1
568-9478-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 33.5A(Tc) 3.75W(Ta),155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB34P10TM
仓库库存编号:
FQB34P10TMCT-ND
别名:FQB34P10TMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34PBF
仓库库存编号:
IRFZ34PBF-ND
别名:*IRFZ34PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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