规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号：
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名：BSB028N06NN3 GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520PBF
仓库库存编号：
IRF9520PBF-ND
别名：*IRF9520PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD210PBF
仓库库存编号：
IRFD210PBF-ND
别名：*IRFD210PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9120PBF
仓库库存编号：
IRFD9120PBF-ND
别名：*IRFD9120PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK60-1
仓库库存编号：
497-12782-5-ND
别名：497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF720PBF
仓库库存编号：
IRF720PBF-ND
别名：*IRF720PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50CTM
仓库库存编号：
FQB5N50CTMCT-ND
别名：FQB5N50CTMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP2955G
仓库库存编号：
NTP2955GOS-ND
别名：NTP2955G-ND
NTP2955GOS
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
型号：
FQU11P06TU
仓库库存编号：
FQU11P06TU-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF10N20C
仓库库存编号：
FQPF10N20CFS-ND
别名：FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB12P20TM
仓库库存编号：
FQB12P20TMCT-ND
别名：FQB12P20TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD60N55F3
仓库库存编号：
497-7972-1-ND
别名：497-7972-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510PBF
仓库库存编号：
IRF510PBF-ND
别名：*IRF510PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120PBF
仓库库存编号：
IRFD120PBF-ND
别名：*IRFD120PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB22P10TM
仓库库存编号：
FQB22P10TMCT-ND
别名：FQB22P10TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） DPAK
型号：
STD5N95K3
仓库库存编号：
497-10412-1-ND
别名：497-10412-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P40TM
仓库库存编号：
FQD4P40TMCT-ND
别名：FQD4P40TM-ND
FQD4P40TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540NPBF
仓库库存编号：
IRF540NPBF-ND
别名：*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
FQU17P06TU
仓库库存编号：
FQU17P06TU-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号：
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名：IPD60R385CPATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ZSTRRPBFCT-ND
别名：IRFZ44ZSTRRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD12N50M2
仓库库存编号：
497-15307-1-ND
别名：497-15307-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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