规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(12767)
分立半导体产品
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1221)
Fairchild/ON Semiconductor(289)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Kionix Inc.(95)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(272)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(274)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(654)
Panasonic - ATG(4)
Panasonic Electronic Components(3)
Panasonic Industrial Automation Sales(7)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(91)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(199)
Vishay Beyschlag(648)
Vishay Electro-Films(267)
Vishay Huntington Electric Inc.(93)
Vishay Semiconductor Diodes Division(35)
Vishay Semiconductor Opto Division(18)
Vishay Sfernice(46)
Vishay Siliconix(121)
Vishay Spectrol(11)
Vishay Sprague(4)
Vishay Thin Film(5)
Vishay Vitramon(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG25N50E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114652
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263AB(D2PAK)
型号:
SIHB21N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHB21N60EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP15N80K5
仓库库存编号:
497-13441-ND
别名:497-13441
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
STP36N60M6
仓库库存编号:
497-17552-ND
别名:497-17552
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 312W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N50D-GE3-ND
别名:SIHG22N50DGE3
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF22N65E-GE3-ND
别名:SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N65E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 208W(Tc) TO-247
型号:
STW36N60M6
仓库库存编号:
497-17553-ND
别名:497-17553
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP24N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP24N65E-GE3-ND
别名:SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ32N65X
仓库库存编号:
IXTQ32N65X-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-GE3-ND
别名:SIHB30N60EGE3
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG24N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG24N65E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-3P
型号:
FCA16N60N
仓库库存编号:
FCA16N60N-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB28N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHB28N60EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 284W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW32N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW32N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-ND
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3IN-ND
SPW32N50C3X
SPW32N50C3XK
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 320W(Tc) TO-220
型号:
IXTP20N65X
仓库库存编号:
IXTP20N65X-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 660W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52N65X
仓库库存编号:
IXTH52N65X-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247
型号:
STW58N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16131-5-ND
别名:497-16131-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH70N20Q3
仓库库存编号:
IXFH70N20Q3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50L2
仓库库存编号:
IXTQ40N50L2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT56F50B2
仓库库存编号:
APT56F50B2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 624W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT34F60B
仓库库存编号:
APT34F60B-ND
别名:APT34F60BMI
APT34F60BMI-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 481W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT77N60BC6
仓库库存编号:
APT77N60BC6-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5014BLLG
仓库库存编号:
APT5014BLLG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号