规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI33N65M2
仓库库存编号：
497-15551-5-ND
别名：497-15551-5
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP16N50P
仓库库存编号：
IXTP16N50P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI740GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI740GLCPBF-ND
别名：*IRFI740GLCPBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4229PBF
仓库库存编号：
IRFP4229PBF-ND
别名：SP001578046
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ160N10T
仓库库存编号：
IXTQ160N10T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP036N10A
仓库库存编号：
FDP036N10A-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH270N8F7-6
仓库库存编号：
497-13874-1-ND
别名：497-13874-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
AOT29S50L
仓库库存编号：
785-1440-5-ND
别名：785-1440-5
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N100
仓库库存编号：
IXTP1N100-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF28N60M2
仓库库存编号：
497-14216-5-ND
别名：497-14216-5
STF28N60M2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R8008ANX
仓库库存编号：
R8008ANX-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA90R340C3
仓库库存编号：
IPA90R340C3-ND
别名：IPA90R340C3XKSA1
SP000415916
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP22N60N
仓库库存编号：
FCP22N60N-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW24N60C3
仓库库存编号：
SPW24N60C3IN-ND
别名：SP000014695
SPW24N60C3-ND
SPW24N60C3FKSA1
SPW24N60C3IN
SPW24N60C3X
SPW24N60C3XK
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ10P50P
仓库库存编号：
IXTQ10P50P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT7F120B
仓库库存编号：
APT7F120B-ND
别名：APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N60P3
仓库库存编号：
IXFH50N60P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80
仓库库存编号：
IXFH9N80-ND
别名：Q3837074
Q4932885
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N80
仓库库存编号：
IXFH7N80-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N100Q
仓库库存编号：
IXFH6N100Q-ND
别名：478547
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX78N50P3
仓库库存编号：
IXFX78N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT22F80B
仓库库存编号：
APT22F80B-ND
别名：APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30T
仓库库存编号：
IXFX120N30T-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH67N10
仓库库存编号：
IXTH67N10-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
型号：
TK62N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK62N60WS1VF-ND
别名：TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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