规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(12767)
分立半导体产品
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1221)
Fairchild/ON Semiconductor(289)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Kionix Inc.(95)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(272)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(274)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(654)
Panasonic - ATG(4)
Panasonic Electronic Components(3)
Panasonic Industrial Automation Sales(7)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(91)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(199)
Vishay Beyschlag(648)
Vishay Electro-Films(267)
Vishay Huntington Electric Inc.(93)
Vishay Semiconductor Diodes Division(35)
Vishay Semiconductor Opto Division(18)
Vishay Sfernice(46)
Vishay Siliconix(121)
Vishay Spectrol(11)
Vishay Sprague(4)
Vishay Thin Film(5)
Vishay Vitramon(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号：
IRFR1205PBFCT-ND
别名：*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR224TRPBF
仓库库存编号：
IRFR224PBFCT-ND
别名：*IRFR224TRPBF
IRFR224PBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N90TM
仓库库存编号：
FQD2N90TMCT-ND
别名：FQD2N90TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8445
仓库库存编号：
FDD8445CT-ND
别名：FDD8445CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK625R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-5434-1-ND
别名：1727-5434-1
568-6901-1
568-6901-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF6216TRPBF
仓库库存编号：
IRF6216TRPBFCT-ND
别名：IRF6216TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号：
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名：IRFR6215TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号：
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名：IRFR1018ETRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR4615TRLPBFCT-ND
别名：IRFR4615TRLPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR13N20DPBFCT-ND
别名：*IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N50C3ATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
FCD600N60Z
仓库库存编号：
FCD600N60ZCT-ND
别名：FCD600N60ZCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN8R0-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7216-1-ND
别名：1727-7216-1
568-9707-1
568-9707-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R506NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH7R506NHL1QCT-ND
别名：TPH7R506NHL1QCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
型号：
FCD5N60TM
仓库库存编号：
FCD5N60TMCT-ND
别名：FCD5N60TMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN034-100BS,118
仓库库存编号：
1727-7211-1-ND
别名：1727-7211-1
568-9702-1
568-9702-1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD5N52U
仓库库存编号：
497-10017-1-ND
别名：497-10017-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
型号：
NTD2955-1G
仓库库存编号：
NTD2955-1GOS-ND
别名：NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3306A
仓库库存编号：
ZVP3306A-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH3300CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH3300CNHL1QCT-ND
别名：TPH3300CNH,L1QCT
TPH3300CNH,L1QCT-ND
TPH3300CNHL1QCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF610PBF
仓库库存编号：
IRF610PBF-ND
别名：*IRF610PBF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7854TRPBF
仓库库存编号：
IRF7854TRPBFCT-ND
别名：IRF7854TRPBFCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），22.5A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC130P03LS G
仓库库存编号：
BSC130P03LS GINCT-ND
别名：BSC130P03LS GINCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC900N20NS3 G
仓库库存编号：
BSC900N20NS3GCT-ND
别名：BSC900N20NS3GCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
