规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R600P7SATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P413ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P413ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P413ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7635-55A,118
仓库库存编号:
1727-7170-1-ND
别名:1727-7170-1
568-9655-1
568-9655-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6CT-ND
别名:IPD60R1K4C6CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R600P7SATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP130,115
仓库库存编号:
1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R2K0P7ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7207-30B,118
仓库库存编号:
1727-5244-1-ND
别名:1727-5244-1
568-6568-1
568-6568-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-75B,118
仓库库存编号:
1727-4704-1-ND
别名:1727-4704-1
568-5852-1
568-5852-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-30B,118
仓库库存编号:
1727-4700-1-ND
别名:1727-4700-1
568-5848-1
568-5848-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.5A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y28-75B,115
仓库库存编号:
1727-4609-1-ND
别名:1727-4609-1
568-5519-1
568-5519-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4623-1-ND
别名:1727-4623-1
568-5577-1
568-5577-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9530NSTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R360P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R360P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R360P7SATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 158W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-5526-1-ND
别名:1727-5526-1
568-7005-1
568-7005-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R1K4P7ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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