规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80Q3
仓库库存编号：
IXFX32N80Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH3N200P3HV-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT22F120B2
仓库库存编号：
APT22F120B2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N100Q3
仓库库存编号：
IXFX32N100Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N50Q3
仓库库存编号：
IXFK80N50Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N80Q3
仓库库存编号：
IXFR32N80Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL210N30P3
仓库库存编号：
IXFL210N30P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8024B2LLG
仓库库存编号：
APT8024B2LLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N300P3HV-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT38F50J
仓库库存编号：
APT38F50J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT8024LFLLG
仓库库存编号：
APT8024LFLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX110N20L2
仓库库存编号：
IXTX110N20L2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60Q3
仓库库存编号：
IXFX64N60Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT51M50J
仓库库存编号：
APT51M50J-ND
别名：APT51M50JMI
APT51M50JMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT50M65B2FLLG
仓库库存编号：
APT50M65B2FLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10045B2LLG
仓库库存编号：
APT10045B2LLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXTT4N150HV
仓库库存编号：
IXTT4N150HV-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 462W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT21M100J
仓库库存编号：
APT21M100J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N60Q3
仓库库存编号：
IXFR64N60Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTT1N300P3HV-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT10035LLLG
仓库库存编号：
APT10035LLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT8020LFLLG
仓库库存编号：
APT8020LFLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2FLLG
仓库库存编号：
APT12067B2FLLG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N100Q3
仓库库存编号：
IXFR32N100Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH2N300P3HV-ND
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