规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH34N50P3
仓库库存编号：
IXFH34N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH240N75F3-2
仓库库存编号：
497-13271-1-ND
别名：497-13271-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ34N50P3
仓库库存编号：
IXFQ34N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N50P3
仓库库存编号：
IXFQ50N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N50P3
仓库库存编号：
IXFT60N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ94N30P3
仓库库存编号：
IXFQ94N30P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
型号：
IXTA05N100HV
仓库库存编号：
IXTA05N100HV-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N50P3
仓库库存编号：
IXFT50N50P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q3
仓库库存编号：
IXFH30N50Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
型号：
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号：
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名：RJK60S7DPKM0T0
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT94N30P3
仓库库存编号：
IXFT94N30P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名：RJK60S7DPPE0T2
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT70N20Q3
仓库库存编号：
IXFT70N20Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N30Q3
仓库库存编号：
IXFT50N30Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT75N10L2
仓库库存编号：
IXTT75N10L2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N30P3
仓库库存编号：
IXFK120N30P3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43M60B2
仓库库存编号：
APT43M60B2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ60N20L2
仓库库存编号：
IXTQ60N20L2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
不受无铅要求限制
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