规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 325W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75345S3ST
仓库库存编号:
HUF75345S3STCT-ND
别名:HUF75345S3STCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP190N65F
仓库库存编号:
FCP190N65F-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP75N10P
仓库库存编号:
IXTP75N10P-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6015FNJTL
仓库库存编号:
R6015FNJTLCT-ND
别名:R6015FNJTLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM60N
仓库库存编号:
497-7931-1-ND
别名:497-7931-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF04T4
仓库库存编号:
497-5951-1-ND
别名:497-5951-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6015ENJTL
仓库库存编号:
R6015ENJTLCT-ND
别名:R6015ENJTLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 245W(Tc) LPTS
型号:
R6024KNJTL
仓库库存编号:
R6024KNJTLCT-ND
别名:R6024KNJTLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60U(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60U(STA4QM)-ND
别名:TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75842P3
仓库库存编号:
HUF75842P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3632_F085
仓库库存编号:
FDB3632_F085CT-ND
别名:FDB3632_F085CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N50P3
仓库库存编号:
IXFP20N50P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP36N30P3
仓库库存编号:
IXFP36N30P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60U(Q,M)
仓库库存编号:
TK12A60U(QM)-ND
别名:TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号:
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名:SUM65N20-30-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N60P3
仓库库存编号:
IXFA7N60P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA36N30P3
仓库库存编号:
IXFA36N30P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP16N50P3
仓库库存编号:
IXFP16N50P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ20N50P3
仓库库存编号:
IXFQ20N50P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6020FNJTL
仓库库存编号:
R6020FNJTLCT-ND
别名:R6020FNJTLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA460P2
仓库库存编号:
IXTA460P2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-220
型号:
IXFP16N60P3
仓库库存编号:
IXFP16N60P3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB33N60DM2
仓库库存编号:
497-16354-1-ND
别名:497-16354-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60WS1VX-ND
别名:TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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