规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7907-55ATE,127
仓库库存编号:
1727-7223-ND
别名:1727-7223
568-9740-5
568-9740-5-ND
934056979127
BUK7907-55ATE
BUK7907-55ATE,127-ND
BUK7907-55ATE-ND
BUK790755ATE127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ200N20TL
仓库库存编号:
RCJ200N20TLCT-ND
别名:RCJ200N20TLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 188W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8443_F085
仓库库存编号:
FDB8443_F085CT-ND
别名:FDB8443_F085CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB088N08
仓库库存编号:
FDB088N08CT-ND
别名:FDB088N08CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 204W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA32N20C
仓库库存编号:
FQA32N20C-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) TO-262AA
型号:
HUF75639S3
仓库库存编号:
HUF75639S3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W,RQ
仓库库存编号:
TK14G65WRQCT-ND
别名:TK14G65WRQCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606072
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) I2PAK
型号:
BUK6E2R3-40C,127
仓库库存编号:
1727-5887-ND
别名:1727-5887
568-7504-5
568-7504-5-ND
934064472127
BUK6E2R3-40C,127-ND
BUK6E2R340C127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB10N65K3
仓库库存编号:
497-14032-1-ND
别名:497-14032-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 74W(Tc)
型号:
IRF830ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF830ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF830ASTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH6N95K5-2
仓库库存编号:
497-16316-1-ND
别名:497-16316-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF55-08T4
仓库库存编号:
497-3737-1-ND
别名:497-3737-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
HUFA75639S3ST_F085A
仓库库存编号:
HUFA75639S3ST_F085ACT-ND
别名:HUFA75639S3ST_F085ACT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75639S3ST
仓库库存编号:
HUFA75639S3STCT-ND
别名:HUFA75639S3STCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80C_F109
仓库库存编号:
FQA10N80C_F109FS-ND
别名:FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 30.5W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF650N80Z
仓库库存编号:
FCPF650N80Z-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 3.13W(Ta),167W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N80TU
仓库库存编号:
FQI7N80TU-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB8N65M5
仓库库存编号:
497-10875-1-ND
别名:497-10875-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),80A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8443_F085
仓库库存编号:
FDP8443_F085-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB95N4F3
仓库库存编号:
497-12427-1-ND
别名:497-12427-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86366_F085
仓库库存编号:
FDB86366_F085CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606038
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606042
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF20STRLPBFCT-ND
别名:IRFBF20STRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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