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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBE30LPBF
  仓库库存编号：IRFBE30LPBF-ND
  别名：*IRFBE30LPBF
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280C6
  仓库库存编号：IPW60R280C6-ND
  别名：IPW60R280C6FKSA1
  SP000645032
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C6XKSA1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF18N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF18N50D-E3-ND
  别名：SIHF18N50DE3
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N95K5
  仓库库存编号：497-14552-5-ND
  别名：497-14552-5
  STF10N95K5-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017068
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP4N85X
  仓库库存编号：IXFP4N85X-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP90142E_GE3
  仓库库存编号：SQP90142E_GE3-ND
  别名：SQP90142E_GE3CT
  SQP90142E_GE3CT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3207ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB3207ZGPBF-ND
  别名：SP001554560
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10NM60ND
  仓库库存编号：497-12276-ND
  别名：497-12276
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5280-ND
  别名：1727-5280
  568-6708
  568-6708-5
  568-6708-5-ND
  568-6708-ND
  934065164127
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK7E80W,S1X
  仓库库存编号：TK7E80WS1X-ND
  别名：TK7E80W,S1X(S
  TK7E80WS1X
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N70X2
  仓库库存编号：IXTP8N70X2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020KNZ1C9
  仓库库存编号：R6020KNZ1C9-ND
  别名：R6020KNZ1C9TR
  R6020KNZ1C9TR-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R8-40E,127
  仓库库存编号：1727-7241-ND
  别名：1727-7241
  568-9849-5
  568-9849-5-ND
  934066512127
  BUK7E1R840E127
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E5R2-100E,127
  仓库库存编号：1727-7247-ND
  别名：1727-7247
  568-9856-5
  568-9856-5-ND
  934066518127
  BUK7E5R2100E127
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW13N60M2
  仓库库存编号：497-15012-5-ND
  别名：497-15012-5
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60ND
  仓库库存编号：497-12246-ND
  别名：497-12246
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK70ZFP
  仓库库存编号：497-12623-5-ND
  别名：497-12623-5
  STP9NK70ZFP-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N65M5
  仓库库存编号：497-10569-5-ND
  别名：497-10569-5
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA4N85X
  仓库库存编号：IXFA4N85X-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA12N65X2
  仓库库存编号：IXTA12N65X2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252（IXFY）
  
  型号：IXFY4N85X
  仓库库存编号：IXFY4N85X-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK14E65W5,S1X
  仓库库存编号：TK14E65W5S1X-ND
  别名：TK14E65W5,S1X(S
  TK14E65W5S1X
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW9NK70Z
  仓库库存编号：497-5899-5-ND
  别名：497-5899-5
  STW9NK70Z-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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