规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N100Q3
仓库库存编号：
IXFK32N100Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N60P
仓库库存编号：
IXFN64N60P-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N50Q3
仓库库存编号：
IXFR80N50Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT94N60L2C3G
仓库库存编号：
APT94N60L2C3G-ND
别名：APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK110N20L2
仓库库存编号：
IXTK110N20L2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39F60J
仓库库存编号：
APT39F60J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N60
仓库库存编号：
IXFN36N60-ND
别名：460869
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN55N50
仓库库存编号：
IXFN55N50-ND
别名：470724
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 494W（Tc） ISOTOP
型号：
STE88N65M5
仓库库存编号：
497-15265-5-ND
别名：497-15265-5
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8020JLL
仓库库存编号：
APT8020JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M65JLL
仓库库存编号：
APT50M65JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN82N60Q3
仓库库存编号：
IXFN82N60Q3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN60N60
仓库库存编号：
IXFN60N60-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JFLL
仓库库存编号：
APT60M75JFLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 60W（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT58M80J
仓库库存编号：
APT58M80J-ND
别名：APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 57A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT53F80J
仓库库存编号：
APT53F80J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M38JLL
仓库库存编号：
APT50M38JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M60JFLL
仓库库存编号：
APT60M60JFLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10021JLL
仓库库存编号：
APT10021JLL-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 1.56W（Ta），30W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RCJ050N25TL
仓库库存编号：
RCJ050N25TLCT-ND
别名：RCJ050N25TLCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RCJ120N20TL
仓库库存编号：
RCJ120N20TLCT-ND
别名：RCJ120N20TLCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6004ENJTL
仓库库存编号：
R6004ENJTLCT-ND
别名：R6004ENJTLCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RCJ120N25TL
仓库库存编号：
RCJ120N25TLCT-ND
别名：RCJ120N25TLCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R800CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R800CEXKSA1-ND
别名：SP001276046
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R650CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R650CEXKSA1-ND
别名：SP001276044
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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