规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S403ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ042N04NS G
仓库库存编号:
BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSZ042N04NSGINCT
BSZ042N04NSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 73A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P409ATMA1CT-ND
别名:IPD70P04P409ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7210-1-ND
别名:1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7815TRPBF
仓库库存编号:
IRF7815TRPBFCT-ND
别名:IRF7815TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7490TRPBF
仓库库存编号:
IRF7490TRPBFCT-ND
别名:IRF7490TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 138W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7623-75A,118
仓库库存编号:
1727-7167-1-ND
别名:1727-7167-1
568-9652-1
568-9652-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5512-1-ND
别名:1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) DPAK
型号:
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-4698-1-ND
别名:1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK6207-55C,118
仓库库存编号:
1727-5501-1-ND
别名:1727-5501-1
568-6978-1
568-6978-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7820TRPBF
仓库库存编号:
IRF7820TRPBFCT-ND
别名:IRF7820TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7853TRPBF
仓库库存编号:
IRF7853TRPBFCT-ND
别名:IRF7853TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号:
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ12DN20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7206-1-ND
别名:1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N06N3 G
仓库库存编号:
IPB054N06N3 GCT-ND
别名:IPB054N06N3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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