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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH24N50L
仓库库存编号：
IXTH24N50L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 700V 65A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT70SM70B
仓库库存编号：
APT70SM70B-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 65A（Tc） 220W（Tc） D3Pak
型号：
APT70SM70S
仓库库存编号：
APT70SM70S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 8A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX8N150L
仓库库存编号：
IXTX8N150L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX17N120L
仓库库存编号：
IXTX17N120L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK17N120L
仓库库存编号：
IXTK17N120L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX46N50L
仓库库存编号：
IXTX46N50L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK22N100L
仓库库存编号：
IXTK22N100L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK46N50L
仓库库存编号：
IXTK46N50L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
型号：
APT70SM70J
仓库库存编号：
APT70SM70J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1500V 7.5A（Tc） 545W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN8N150L
仓库库存编号：
IXTN8N150L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN17N120L
仓库库存编号：
IXTN17N120L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 80A（Tc） 555W（Tc） TO-247
型号：
APT80SM120B
仓库库存编号：
APT80SM120B-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT80SM120S
仓库库存编号：
APT80SM120S-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
型号：
IXTB30N100L
仓库库存编号：
IXTB30N100L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN62N50L
仓库库存编号：
IXTN62N50L-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227
型号：
APT80SM120J
仓库库存编号：
APT80SM120J-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 71A（Tc） 300W（Tc） SOT-227
型号：
APT50MC120JCU2
仓库库存编号：
APT50MC120JCU2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 42A（Tc） 215W（Tc） TO-247-3
型号：
CMF20120D
仓库库存编号：
CMF20120D-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163
仓库库存编号：
3N163-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-2
仓库库存编号：
3N163-2-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-E3
仓库库存编号：
3N163-E3-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述：通孔 P 沟道 30V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N164
仓库库存编号：
3N164-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
含铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 25A（Tc） 175W（Tc） TO-247
型号：
APT25SM120B
仓库库存编号：
APT25SM120B-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 50A（Tj） 313mW（Tj） 模具
型号：
CPMF-1200-S080B
仓库库存编号：
CPMF-1200-S080B-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V,
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