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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），67A（Tc） 810mW（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C06NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C06NTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS776DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS776DN-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-220
型号：
AOT462L
仓库库存编号：
AOT462L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3
型号：
IRF530A
仓库库存编号：
IRF530A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
型号：
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ15S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ15S06M3L(T6L1NQ
TJ15S06M3LT6L1NQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF8N60C
仓库库存编号：
FQPF8N60C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Tc） 5.2W（Ta），25W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE878DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE878DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE878DF-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP8N60C
仓库库存编号：
FQP8N60C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5852NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5852NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5852NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5852NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8N60CTM
仓库库存编号：
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名：FQB8N60CTMFSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7846DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7846DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP10P15T
仓库库存编号：
IXTP10P15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2W（Ta），36W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
BFL4004-1E
仓库库存编号：
BFL4004-1E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY10P15T
仓库库存编号：
IXTY10P15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 75W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
IXTP14N60PM
仓库库存编号：
IXTP14N60PM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA20N50P3
仓库库存编号：
IXFA20N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP14N60P
仓库库存编号：
IXTP14N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA14N60P
仓库库存编号：
IXTA14N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N60P
仓库库存编号：
IXFA14N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ14N60P
仓库库存编号：
IXTQ14N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N50P3
仓库库存编号：
IXFH20N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N60P
仓库库存编号：
IXFH14N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R120P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R120P7XKSA1-ND
别名：SP001658376
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R120P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R120P7XKSA1-ND
别名：SP001647028
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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