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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7409ADN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7409ADN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7409ADN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9424BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9424BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9424BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804N-1G
  仓库库存编号：NTD4804N-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804N-35G
  仓库库存编号：NTD4804N-35GOS-ND
  别名：NTD4804N-35G-ND
  NTD4804N-35GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804NA-1G
  仓库库存编号：NTD4804NA-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804NA-35G
  仓库库存编号：NTD4804NA-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4804NAT4G
  仓库库存编号：NTD4804NAT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7764A
  仓库库存编号：FDS7764A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 900mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4121NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4121NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4121NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4858DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4858DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4858DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4858DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6469DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6469DQ-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6967DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6967DQ-T1-E3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6967DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6967DQ-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6969DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6969DQ-T1-E3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6969DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6969DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7358ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7358ADP-T1-E3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7358ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7358ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7382DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7382DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7409ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7409ADN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9424BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9424BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RAQ045P01TCR
  仓库库存编号：RAQ045P01TCRCT-ND
  别名：RAQ045P01TCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7476
  仓库库存编号：IRF7476-ND
  别名：*IRF7476
  Q1332195
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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