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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4565ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4565ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4565ADY-T1-E3CT
  SI4565ADYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4906DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4906DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4906DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-E3CT
  SI6459BDQT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD486A
  仓库库存编号：785-1115-1-ND
  别名：785-1115-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
  SI6459BDQT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IRFR120ATM
  仓库库存编号：IRFR120ATM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRFU120ATU
  仓库库存编号：IRFU120ATU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 76A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH7030AL,115
  仓库库存编号：PH7030AL,115-ND
  别名：934063091115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4960N-1G
  仓库库存编号：NTD4960N-1GOS-ND
  别名：NTD4960N-1GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4960N-35G
  仓库库存编号：NTD4960N-35GOS-ND
  别名：NTD4960N-35GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4960NT4G
  仓库库存编号：NTD4960NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4960NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4906DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4906DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4906DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF730ALPBF
  仓库库存编号：IRF730ALPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF730ASTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4565ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4565ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 12.4A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.4A（Ta），49A（Tc） 2.1W（Ta），93W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1428A
  仓库库存编号：AOL1428A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6973A
  仓库库存编号：785-1603-1-ND
  别名：785-1603-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6974A
  仓库库存编号：AON6974A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M007A065HG
  仓库库存编号：GP2M007A065HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3A（Ta），19A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD256_001
  仓库库存编号：AOD256_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN 3X3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7518
  仓库库存编号：AON7518-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN 3X3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7548
  仓库库存编号：AON7548-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），24A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7548_101
  仓库库存编号：AON7548_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA04N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000216298
  SPA04N50C3
  SPA04N50C3IN
  SPA04N50C3IN-ND
  SPA04N50C3X
  SPA04N50C3XK
  SPA04N50C3XTIN
  SPA04N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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