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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB04N50C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000014477
  SPB04N50C3
  SPB04N50C3-ND
  SPB04N50C3INTR
  SPB04N50C3INTR-ND
  SPB04N50C3XT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001407894
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R330P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R330P6ATMA1-ND
  别名：SP001364470
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 27.8W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R660CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R660CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R660CFD
  IPA65R660CFD-ND
  SP000838284
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R660CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R660CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R660CFD
  IPI65R660CFD-ND
  SP000861696
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R660CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R660CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R660CFD
  IPP65R660CFD-ND
  SP000745026
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252
  
  型号：IPAW70R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW70R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001619370
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R385CP
  仓库库存编号：IPB60R385CPCT-ND
  别名：IPB60R385CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R385CP
  IPI60R385CP-ND
  IPI60R385CPAKSA1
  IPI60R385CPX
  IPI60R385CPXK
  SP000103250
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R385CP
  IPP60R385CP-ND
  IPP60R385CPAKSA1
  IPP60R385CPX
  IPP60R385CPXK
  SP000082281
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R660CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R660CFDFKSA1-ND
  别名：IPW65R660CFD
  IPW65R660CFD-ND
  SP000861700
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520
  仓库库存编号：497-2782-5-ND
  别名：497-2782-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70NH02LT4
  仓库库存编号：497-3165-1-ND
  别名：497-3165-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP8NM60ND
  仓库库存编号：497-8793-5-ND
  别名：497-8793-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD8NM60ND
  仓库库存编号：497-8775-1-ND
  别名：497-8775-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU8NM60ND
  仓库库存编号：STU8NM60ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU12N65M5
  仓库库存编号：497-11401-5-ND
  别名：497-11401-5
  STU12N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.5A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI12N65M5
  仓库库存编号：497-11326-5-ND
  别名：497-11326-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620
  仓库库存编号：IRF9620-ND
  别名：*IRF9620
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9410A
  仓库库存编号：NDS9410ACT-ND
  别名：NDS9410ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730A
  仓库库存编号：IRF730A-ND
  别名：*IRF730A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730AS
  仓库库存编号：IRF730AS-ND
  别名：*IRF730AS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9620S
  仓库库存编号：IRF9620S-ND
  别名：*IRF9620S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF730AL
  仓库库存编号：IRF730AL-ND
  别名：*IRF730AL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRL
  仓库库存编号：IRF730ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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