规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 2.8W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMP3028LK3Q-13
仓库库存编号：
DMP3028LK3Q-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4443
仓库库存编号：
AO4443-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 8.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2816
仓库库存编号：
AOD2816-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NVF3055-100T1G
仓库库存编号：
NVF3055-100T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6934A
仓库库存编号：
AON6934A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 18A, 27A 3.5W, 4.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6980
仓库库存编号：
785-1674-1-ND
别名：785-1674-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4214DDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4214DDY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.1W（Ta），60W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1454
仓库库存编号：
AOL1454-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68.2W（Tj） Power56
型号：
FDMS9411_F085
仓库库存编号：
FDMS9411_F085CT-ND
别名：FDMS9411_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6934
仓库库存编号：
785-1373-1-ND
别名：785-1373-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF4N90
仓库库存编号：
AOTF4N90-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6932A
仓库库存编号：
AON6932A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6932
仓库库存编号：
785-1372-1-ND
别名：785-1372-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DUAL PT8 N 40/20V SYNCFET IN MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 11.4W Surface Mount 8-MLP (3x3)
型号：
FDMC9430L_F085
仓库库存编号：
FDMC9430L_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 24A SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH12008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH12008NHL1QCT-ND
别名：TPH12008NHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta），12A（Tc） 2.1W（Ta），33W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF256L
仓库库存编号：
AOTF256L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB256L
仓库库存编号：
AOB256L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF730ASTRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N80
仓库库存编号：
IXTP2N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP10N60C5
仓库库存编号：
IXKP10N60C5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2N80
仓库库存编号：
IXTA2N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名：SP001466998
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPSA70R600CEAKMA1
仓库库存编号：
IPSA70R600CEAKMA1-ND
别名：SP001605364
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名：IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名：SP001117748
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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